Справочник MOSFET. WFU730

 

WFU730 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WFU730
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm
   Тип корпуса: TO-251
 

 Аналог (замена) для WFU730

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WFU730 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:655K  winsemi
 wfu730.pdf pdf_icon

WFU730

WFU730WFU730WFU730WFU730Silicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures5.5A,400V, R (Max 1.0)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate Charge(Typical 32nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionThis Power MOSFET is produced using W

Другие MOSFET... WFU1N60N , WFU20N06 , WFU2N60 , WFU2N60B , WFU4N60 , WFU5N50 , WFU5N60 , WFU5N60B , 2N60 , WFU830 , WFW064N , WFW13N50 , WFW18N50 , WFW18N50N , WFW18N50W , WFW20N60W , WFW24N50N .

History: AUIRFS8409-7P | LSE55R140GT | AOW298

 

 
Back to Top

 


 
.