WFU730. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WFU730

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 400 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm

Тип корпуса: TO-251

Аналог (замена) для WFU730

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WFU730 даташит

 ..1. Size:655K  winsemi
 wfu730.pdf pdf_icon

WFU730

WFU730 WFU730 WFU730 WFU730 Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features 5.5A,400V, R (Max 1.0 )@V =10V DS(on) GS Ultra-low Gate Charge(Typical 32nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150 ) General Description This Power MOSFET is produced using W

Другие IGBT... WFU1N60N, WFU20N06, WFU2N60, WFU2N60B, WFU4N60, WFU5N50, WFU5N60, WFU5N60B, 20N50, WFU830, WFW064N, WFW13N50, WFW18N50, WFW18N50N, WFW18N50W, WFW20N60W, WFW24N50N