WFU830 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WFU830

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 48 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 76 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm

Encapsulados: TO-251

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WFU830 datasheet

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WFU830

WFU830 WFU830 WFU830 WFU830 Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features 4.5A,500V,R Max 1.5 )@V =10V DS(on)( GS Ultra-low Gate Charge(Typical 32nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150 ) General Description This Power MOSFET is produced using W

Otros transistores... WFU20N06, WFU2N60, WFU2N60B, WFU4N60, WFU5N50, WFU5N60, WFU5N60B, WFU730, IRF520, WFW064N, WFW13N50, WFW18N50, WFW18N50N, WFW18N50W, WFW20N60W, WFW24N50N, WFW24N50W