Справочник MOSFET. WFU830

 

WFU830 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WFU830
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 76 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-251
 

 Аналог (замена) для WFU830

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WFU830 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:583K  winsemi
 wfu830.pdf pdf_icon

WFU830

WFU830WFU830WFU830WFU830Silicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 4.5A,500V,R Max 1.5)@V =10VDS(on)( GS Ultra-low Gate Charge(Typical 32nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionThis Power MOSFET is produced using W

Другие MOSFET... WFU20N06 , WFU2N60 , WFU2N60B , WFU4N60 , WFU5N50 , WFU5N60 , WFU5N60B , WFU730 , CS150N03A8 , WFW064N , WFW13N50 , WFW18N50 , WFW18N50N , WFW18N50W , WFW20N60W , WFW24N50N , WFW24N50W .

History: PH1955L | PHP79NQ08LT | HGP190N15S | SVS14N65FJD2 | LSD65R180GT | SVSP11N70MJD2 | AP50T10GJ-HF

 

 
Back to Top

 


 
.