WFW064N Todos los transistores

 

WFW064N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WFW064N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 185 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 109 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1290 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247
 

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WFW064N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:909K  winsemi
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WFW064N

WFW064NWFW064NWFW064NWFW064NSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 109A,60V, R (Max 8m)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 50nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionThis Power MOSFET is produced usi

Otros transistores... WFU2N60 , WFU2N60B , WFU4N60 , WFU5N50 , WFU5N60 , WFU5N60B , WFU730 , WFU830 , IRFB31N20D , WFW13N50 , WFW18N50 , WFW18N50N , WFW18N50W , WFW20N60W , WFW24N50N , WFW24N50W , WFW40N25W .

History: TPU60R1K4M | 2SK1478 | BRFL13N50 | CEF02N6G | IXFT12N100F | 2SK65 | UTT25P10L-TQ2-T

 

 
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