WFW064N - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: WFW064N
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 185 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 109 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1290 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
Тип корпуса: TO-247
Аналог (замена) для WFW064N
WFW064N Datasheet (PDF)
wfw064n.pdf

WFW064NWFW064NWFW064NWFW064NSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 109A,60V, R (Max 8m)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 50nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionThis Power MOSFET is produced usi
Другие MOSFET... WFU2N60 , WFU2N60B , WFU4N60 , WFU5N50 , WFU5N60 , WFU5N60B , WFU730 , WFU830 , NCEP15T14 , WFW13N50 , WFW18N50 , WFW18N50N , WFW18N50W , WFW20N60W , WFW24N50N , WFW24N50W , WFW40N25W .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP5N10SI | AP5N10MI | AP5N10BSI | AP5N10BI | AP5N06MI | AP5N04MI | AP55N10F | AP50P10P | AP50P10NF | AP50P10D | AP50P04DF | AP50P04D | AP50P03NF | AP50P03DF | AP50P03D | AP30N10D
Popular searches
2sc1940 | ftp08n06a | 2n3405 | 2n3567 | 2sc1226 | 2sd180 | 2sd235 | k3502 datasheet