Справочник MOSFET. WFW064N

 

WFW064N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WFW064N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 185 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 109 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1290 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
   Тип корпуса: TO-247
 

 Аналог (замена) для WFW064N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WFW064N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:909K  winsemi
wfw064n.pdfpdf_icon

WFW064N

WFW064NWFW064NWFW064NWFW064NSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 109A,60V, R (Max 8m)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 50nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionThis Power MOSFET is produced usi

Другие MOSFET... WFU2N60 , WFU2N60B , WFU4N60 , WFU5N50 , WFU5N60 , WFU5N60B , WFU730 , WFU830 , IRFB31N20D , WFW13N50 , WFW18N50 , WFW18N50N , WFW18N50W , WFW20N60W , WFW24N50N , WFW24N50W , WFW40N25W .

History: HFD8N60U | IXTK120N25P | SWN7N65K2 | STD100N03LT4 | STW75N60M6 | HGP059N08A | SSM6P15FU

 

 
Back to Top

 


 
.