WFW064N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WFW064N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 185 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 109 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1290 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm

Тип корпуса: TO-247

Аналог (замена) для WFW064N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WFW064N даташит

 ..1. Size:909K  winsemi
 wfw064n.pdf pdf_icon

WFW064N

WFW064N WFW064N WFW064N WFW064N Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features 109A,60V, R (Max 8m )@V =10V DS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 50nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150 ) General Description This Power MOSFET is produced usi

Другие IGBT... WFU2N60, WFU2N60B, WFU4N60, WFU5N50, WFU5N60, WFU5N60B, WFU730, WFU830, IRF2807, WFW13N50, WFW18N50, WFW18N50N, WFW18N50W, WFW20N60W, WFW24N50N, WFW24N50W, WFW40N25W