WFW13N50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WFW13N50
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 218 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.46 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-3P
Búsqueda de reemplazo de WFW13N50 MOSFET
WFW13N50 Datasheet (PDF)
wfw13n50.pdf

WFW13N50WFW13N50WFW13N50WFW13N50Silicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 13A,500V, R (Max0.46)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 43nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionThis Power MOSFET is produce
Otros transistores... WFU2N60B , WFU4N60 , WFU5N50 , WFU5N60 , WFU5N60B , WFU730 , WFU830 , WFW064N , IRF2807 , WFW18N50 , WFW18N50N , WFW18N50W , WFW20N60W , WFW24N50N , WFW24N50W , WFW40N25W , WFW9N90 .
History: PHB96NQ03LT | 2N5398 | UF640L-TQ2-R | OSG60R108FZF | HM6408 | IXTP32N65X
History: PHB96NQ03LT | 2N5398 | UF640L-TQ2-R | OSG60R108FZF | HM6408 | IXTP32N65X



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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