Справочник MOSFET. WFW13N50

 

WFW13N50 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WFW13N50
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 218 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.46 Ohm
   Тип корпуса: TO-3P
 

 Аналог (замена) для WFW13N50

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WFW13N50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:558K  winsemi
 wfw13n50.pdf pdf_icon

WFW13N50

WFW13N50WFW13N50WFW13N50WFW13N50Silicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 13A,500V, R (Max0.46)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 43nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionThis Power MOSFET is produce

Другие MOSFET... WFU2N60B , WFU4N60 , WFU5N50 , WFU5N60 , WFU5N60B , WFU730 , WFU830 , WFW064N , IRF2807 , WFW18N50 , WFW18N50N , WFW18N50W , WFW20N60W , WFW24N50N , WFW24N50W , WFW40N25W , WFW9N90 .

History: HTD350C04 | IPA60R520CP | RND030N20 | 2SK3364 | HSU0139 | HGP088N15S | FTK830F

 

 
Back to Top

 


 
.