WFW24N50N MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WFW24N50N

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 290 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 24 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VGSth|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V

Qgⓘ - Carga de la puerta: 90 nC

trⓘ - Tiempo de subida: 250 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 520 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.19 Ohm

Encapsulados: TO-3PN

 Búsqueda de reemplazo de WFW24N50N MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

WFW24N50N datasheet

 ..1. Size:428K  winsemi
 wfw24n50n.pdf pdf_icon

WFW24N50N

WFW24N50N WFW24N50N WFW24N50N WFW24N50N Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features 24A,500V,RDS(on)(Max0.19 )@VGS=10V Ultra-low Gate charge(Typical 90nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150 ) General Description This N-Channel enhancement mod

 6.1. Size:463K  winsemi
 wfw24n50w.pdf pdf_icon

WFW24N50N

WFW24N50W WFW24N50W WFW24N50W WFW24N50W Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features 24A,500V,RDS(on)(Max0.19 )@VGS=10V Ultra-low Gate charge(Typical 90nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150 ) General Description This N-Channel enhancement mod

Otros transistores... WFU730, WFU830, WFW064N, WFW13N50, WFW18N50, WFW18N50N, WFW18N50W, WFW20N60W, 75N75, WFW24N50W, WFW40N25W, WFW9N90, WFW9N90W, WFY3N02, WFY3P02, WFY4101, WFY5N03