WFW24N50N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WFW24N50N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 290 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 250 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 520 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm

Тип корпуса: TO-3PN

Аналог (замена) для WFW24N50N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WFW24N50N даташит

 ..1. Size:428K  winsemi
 wfw24n50n.pdf pdf_icon

WFW24N50N

WFW24N50N WFW24N50N WFW24N50N WFW24N50N Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features 24A,500V,RDS(on)(Max0.19 )@VGS=10V Ultra-low Gate charge(Typical 90nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150 ) General Description This N-Channel enhancement mod

 6.1. Size:463K  winsemi
 wfw24n50w.pdf pdf_icon

WFW24N50N

WFW24N50W WFW24N50W WFW24N50W WFW24N50W Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features 24A,500V,RDS(on)(Max0.19 )@VGS=10V Ultra-low Gate charge(Typical 90nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150 ) General Description This N-Channel enhancement mod

Другие IGBT... WFU730, WFU830, WFW064N, WFW13N50, WFW18N50, WFW18N50N, WFW18N50W, WFW20N60W, 75N75, WFW24N50W, WFW40N25W, WFW9N90, WFW9N90W, WFY3N02, WFY3P02, WFY4101, WFY5N03