WFW40N25W MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WFW40N25W
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 260 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 620 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 685 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.068 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-247
Búsqueda de reemplazo de WFW40N25W MOSFET
WFW40N25W Datasheet (PDF)
wfw40n25w.pdf

WFW40N25WWFW40N25WWFW40N25WWFW40N25WSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 40A,250V,R (Max0.068)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 87nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionThis N-Channel enhanceme
Otros transistores... WFW064N , WFW13N50 , WFW18N50 , WFW18N50N , WFW18N50W , WFW20N60W , WFW24N50N , WFW24N50W , IRF730 , WFW9N90 , WFW9N90W , WFY3N02 , WFY3P02 , WFY4101 , WFY5N03 , WFY5P03 , WFY6N02 .
History: AOT20N25L | HM2300B | IXTH30N60P | SDF1NA60JDA | ZXMN3AMC | SWN4N80K
History: AOT20N25L | HM2300B | IXTH30N60P | SDF1NA60JDA | ZXMN3AMC | SWN4N80K



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
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