WFW40N25W - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: WFW40N25W
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 260 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 620 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 685 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.068 Ohm
Тип корпуса: TO-247
Аналог (замена) для WFW40N25W
WFW40N25W Datasheet (PDF)
wfw40n25w.pdf

WFW40N25WWFW40N25WWFW40N25WWFW40N25WSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 40A,250V,R (Max0.068)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 87nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionThis N-Channel enhanceme
Другие MOSFET... WFW064N , WFW13N50 , WFW18N50 , WFW18N50N , WFW18N50W , WFW20N60W , WFW24N50N , WFW24N50W , IRFZ46N , WFW9N90 , WFW9N90W , WFY3N02 , WFY3P02 , WFY4101 , WFY5N03 , WFY5P03 , WFY6N02 .
History: BUK9226-75A
History: BUK9226-75A



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP5N10SI | AP5N10MI | AP5N10BSI | AP5N10BI | AP5N06MI | AP5N04MI | AP55N10F | AP50P10P | AP50P10NF | AP50P10D | AP50P04DF | AP50P04D | AP50P03NF | AP50P03DF | AP50P03D | AP30N10D
Popular searches
p0903bdg datasheet | 2sa722 | f1010e mosfet datasheet | 2sa566 | bc559 equivalent | c2075 transistor | ecg123 | 2n5551 transistor equivalent