Справочник MOSFET. WFW40N25W

 

WFW40N25W Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WFW40N25W
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 260 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 620 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 685 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.068 Ohm
   Тип корпуса: TO-247
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

WFW40N25W Datasheet (PDF)

 ..1. Size:490K  winsemi
 wfw40n25w.pdf pdf_icon

WFW40N25W

WFW40N25WWFW40N25WWFW40N25WWFW40N25WSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 40A,250V,R (Max0.068)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 87nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionThis N-Channel enhanceme

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: S-L2N7002DW1T1G | PNMET20V06E | IXFX30N110P | FDC654P | 2SK1501 | IPD50R3K0CE | OSG55R074HSZF

 

 
Back to Top

 


 
.