WFW40N25W. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WFW40N25W

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 260 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 620 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 685 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.068 Ohm

Тип корпуса: TO-247

Аналог (замена) для WFW40N25W

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WFW40N25W даташит

 ..1. Size:490K  winsemi
 wfw40n25w.pdf pdf_icon

WFW40N25W

WFW40N25W WFW40N25W WFW40N25W WFW40N25W Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features 40A,250V,R (Max0.068 )@V =10V DS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 87nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150 ) General Description This N-Channel enhanceme

Другие IGBT... WFW064N, WFW13N50, WFW18N50, WFW18N50N, WFW18N50W, WFW20N60W, WFW24N50N, WFW24N50W, IRFB31N20D, WFW9N90, WFW9N90W, WFY3N02, WFY3P02, WFY4101, WFY5N03, WFY5P03, WFY6N02