Справочник MOSFET. WFW40N25W

 

WFW40N25W Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WFW40N25W
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 260 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 620 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 685 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.068 Ohm
   Тип корпуса: TO-247
 

 Аналог (замена) для WFW40N25W

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WFW40N25W Datasheet (PDF)

 ..1. Size:490K  winsemi
 wfw40n25w.pdf pdf_icon

WFW40N25W

WFW40N25WWFW40N25WWFW40N25WWFW40N25WSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 40A,250V,R (Max0.068)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 87nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionThis N-Channel enhanceme

Другие MOSFET... WFW064N , WFW13N50 , WFW18N50 , WFW18N50N , WFW18N50W , WFW20N60W , WFW24N50N , WFW24N50W , IRF730 , WFW9N90 , WFW9N90W , WFY3N02 , WFY3P02 , WFY4101 , WFY5N03 , WFY5P03 , WFY6N02 .

History: HGT022N12S | DMP6110SSD | DMPH6050SK3 | DAMI220N200 | HGB050N14S | CEM3258

 

 
Back to Top

 


 
.