WFY3N02 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: WFY3N02
   Código: H04F
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.9 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 7.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 7.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.065 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23

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WFY3N02 Datasheet (PDF)

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wfy3n02.pdf

WFY3N02WFY3N02WFY3N02WFY3N0220V N-Channel MOSFET20V N-Channel MOSFET20V N-Channel MOSFET20V N-Channel MOSFETFeatures 2.8A, 20V, R (Max 65m)@V =-4.5VDS(on) GS 1.2 V Rated for Low Voltage Gate Drive SOT-23 Surface Mount for Small Footprint Single Pulse Avalanche Energy Rated Halogen-freeGeneral DescriptionDDDDThis Power MOSFET is produced

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