WFY3N02 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WFY3N02

Código: H04F

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.9 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VGSth|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.2 V

Qgⓘ - Carga de la puerta: 7.5 nC

trⓘ - Tiempo de subida: 7.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.065 Ohm

Encapsulados: SOT-23

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WFY3N02 datasheet

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WFY3N02

WFY3N02 WFY3N02 WFY3N02 WFY3N02 20V N-Channel MOSFET 20V N-Channel MOSFET 20V N-Channel MOSFET 20V N-Channel MOSFET Features 2.8A, 20V, R (Max 65m )@V =-4.5V DS(on) GS 1.2 V Rated for Low Voltage Gate Drive SOT-23 Surface Mount for Small Footprint Single Pulse Avalanche Energy Rated Halogen-free General Description D D D D This Power MOSFET is produced

Otros transistores... WFW18N50N, WFW18N50W, WFW20N60W, WFW24N50N, WFW24N50W, WFW40N25W, WFW9N90, WFW9N90W, 7N60, WFY3P02, WFY4101, WFY5N03, WFY5P03, WFY6N02, PMCPB5530X, PMCXB900UE, PMDPB28UN