WFY3N02. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WFY3N02

Маркировка: H04F

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.9 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.2 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 7.5 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 7.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

Аналог (замена) для WFY3N02

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WFY3N02 даташит

 ..1. Size:262K  winsemi
 wfy3n02.pdf pdf_icon

WFY3N02

WFY3N02 WFY3N02 WFY3N02 WFY3N02 20V N-Channel MOSFET 20V N-Channel MOSFET 20V N-Channel MOSFET 20V N-Channel MOSFET Features 2.8A, 20V, R (Max 65m )@V =-4.5V DS(on) GS 1.2 V Rated for Low Voltage Gate Drive SOT-23 Surface Mount for Small Footprint Single Pulse Avalanche Energy Rated Halogen-free General Description D D D D This Power MOSFET is produced

Другие IGBT... WFW18N50N, WFW18N50W, WFW20N60W, WFW24N50N, WFW24N50W, WFW40N25W, WFW9N90, WFW9N90W, 7N60, WFY3P02, WFY4101, WFY5N03, WFY5P03, WFY6N02, PMCPB5530X, PMCXB900UE, PMDPB28UN