Справочник MOSFET. WFY3N02

 

WFY3N02 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: WFY3N02
   Маркировка: H04F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 7.5 nC
   trⓘ - Время нарастания: 7.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23

 Аналог (замена) для WFY3N02

 

 

WFY3N02 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:262K  winsemi
 wfy3n02.pdf

WFY3N02 WFY3N02

WFY3N02WFY3N02WFY3N02WFY3N0220V N-Channel MOSFET20V N-Channel MOSFET20V N-Channel MOSFET20V N-Channel MOSFETFeatures 2.8A, 20V, R (Max 65m)@V =-4.5VDS(on) GS 1.2 V Rated for Low Voltage Gate Drive SOT-23 Surface Mount for Small Footprint Single Pulse Avalanche Energy Rated Halogen-freeGeneral DescriptionDDDDThis Power MOSFET is produced

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top