Справочник MOSFET. WFY3N02

 

WFY3N02 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WFY3N02
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
 

 Аналог (замена) для WFY3N02

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WFY3N02 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:262K  winsemi
 wfy3n02.pdf pdf_icon

WFY3N02

WFY3N02WFY3N02WFY3N02WFY3N0220V N-Channel MOSFET20V N-Channel MOSFET20V N-Channel MOSFET20V N-Channel MOSFETFeatures 2.8A, 20V, R (Max 65m)@V =-4.5VDS(on) GS 1.2 V Rated for Low Voltage Gate Drive SOT-23 Surface Mount for Small Footprint Single Pulse Avalanche Energy Rated Halogen-freeGeneral DescriptionDDDDThis Power MOSFET is produced

Другие MOSFET... WFW18N50N , WFW18N50W , WFW20N60W , WFW24N50N , WFW24N50W , WFW40N25W , WFW9N90 , WFW9N90W , MMIS60R580P , WFY3P02 , WFY4101 , WFY5N03 , WFY5P03 , WFY6N02 , PMCPB5530X , PMCXB900UE , PMDPB28UN .

History: AOW298 | HGP115N15S | DH116N08 | KI2351DS | 2SK3674-01L | AP20N15AGH | SWU10N65K

 

 
Back to Top

 


 
.