WFY4101 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WFY4101

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.73 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12.6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.085 Ohm

Encapsulados: SOT-23

 Búsqueda de reemplazo de WFY4101 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

WFY4101 datasheet

 ..1. Size:326K  winsemi
 wfy4101.pdf pdf_icon

WFY4101

WFY4101 WFY4101 WFY4101 WFY4101 Trench Power MOSFET Trench Power MOSFET Trench Power MOSFET Trench Power MOSFET -20 V, Single P-Channel, SOT-23 -20 V, Single P-Channel, SOT-23 -20 V, Single P-Channel, SOT-23 -20 V, Single P-Channel, SOT-23 Features -3.2A, -20V, RDS(on)(Max 85m )@VGS=-4.5V -1.8 V Rated for Low Voltage Gate Drive SOT-23 Surface Mount for Small Footprin

Otros transistores... WFW20N60W, WFW24N50N, WFW24N50W, WFW40N25W, WFW9N90, WFW9N90W, WFY3N02, WFY3P02, IRFZ46N, WFY5N03, WFY5P03, WFY6N02, PMCPB5530X, PMCXB900UE, PMDPB28UN, PMDPB30XN, PMDPB38UNE