WFY4101 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WFY4101
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.73 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 7.5 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 12.6 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.085 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-23
Búsqueda de reemplazo de MOSFET WFY4101
WFY4101 Datasheet (PDF)
wfy4101.pdf
WFY4101WFY4101WFY4101WFY4101Trench Power MOSFETTrench Power MOSFETTrench Power MOSFETTrench Power MOSFET-20 V, Single P-Channel, SOT-23-20 V, Single P-Channel, SOT-23-20 V, Single P-Channel, SOT-23-20 V, Single P-Channel, SOT-23Features -3.2A, -20V, RDS(on)(Max 85m)@VGS=-4.5V -1.8 V Rated for Low Voltage Gate Drive SOT-23 Surface Mount for Small Footprin
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