WFY4101 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: WFY4101
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.73 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 12.6 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm
Тип корпуса: SOT-23
Аналог (замена) для WFY4101
WFY4101 Datasheet (PDF)
wfy4101.pdf

WFY4101WFY4101WFY4101WFY4101Trench Power MOSFETTrench Power MOSFETTrench Power MOSFETTrench Power MOSFET-20 V, Single P-Channel, SOT-23-20 V, Single P-Channel, SOT-23-20 V, Single P-Channel, SOT-23-20 V, Single P-Channel, SOT-23Features -3.2A, -20V, RDS(on)(Max 85m)@VGS=-4.5V -1.8 V Rated for Low Voltage Gate Drive SOT-23 Surface Mount for Small Footprin
Другие MOSFET... WFW20N60W , WFW24N50N , WFW24N50W , WFW40N25W , WFW9N90 , WFW9N90W , WFY3N02 , WFY3P02 , RU7088R , WFY5N03 , WFY5P03 , WFY6N02 , PMCPB5530X , PMCXB900UE , PMDPB28UN , PMDPB30XN , PMDPB38UNE .
History: NP34N055SLE | P1004BS | NCE70N1K1K | JCS15N60CH | IXTQ280N055T | BUK9M9R5-40H
History: NP34N055SLE | P1004BS | NCE70N1K1K | JCS15N60CH | IXTQ280N055T | BUK9M9R5-40H



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP5N10SI | AP5N10MI | AP5N10BSI | AP5N10BI | AP5N06MI | AP5N04MI | AP55N10F | AP50P10P | AP50P10NF | AP50P10D | AP50P04DF | AP50P04D | AP50P03NF | AP50P03DF | AP50P03D | AP30N10D
Popular searches
c2075 transistor | ecg123 | 2n5551 transistor equivalent | 13009 datasheet | 3dd15d transistor | pa110bda | 2sb1243 | a1123 transistor