Справочник MOSFET. WFY4101

 

WFY4101 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: WFY4101
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.73 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 7.5 nC
   trⓘ - Время нарастания: 12.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23

 Аналог (замена) для WFY4101

 

 

WFY4101 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:326K  winsemi
 wfy4101.pdf

WFY4101 WFY4101

WFY4101WFY4101WFY4101WFY4101Trench Power MOSFETTrench Power MOSFETTrench Power MOSFETTrench Power MOSFET-20 V, Single P-Channel, SOT-23-20 V, Single P-Channel, SOT-23-20 V, Single P-Channel, SOT-23-20 V, Single P-Channel, SOT-23Features -3.2A, -20V, RDS(on)(Max 85m)@VGS=-4.5V -1.8 V Rated for Low Voltage Gate Drive SOT-23 Surface Mount for Small Footprin

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top