Справочник MOSFET. WFY4101

 

WFY4101 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WFY4101
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.73 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
 

 Аналог (замена) для WFY4101

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WFY4101 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:326K  winsemi
 wfy4101.pdf pdf_icon

WFY4101

WFY4101WFY4101WFY4101WFY4101Trench Power MOSFETTrench Power MOSFETTrench Power MOSFETTrench Power MOSFET-20 V, Single P-Channel, SOT-23-20 V, Single P-Channel, SOT-23-20 V, Single P-Channel, SOT-23-20 V, Single P-Channel, SOT-23Features -3.2A, -20V, RDS(on)(Max 85m)@VGS=-4.5V -1.8 V Rated for Low Voltage Gate Drive SOT-23 Surface Mount for Small Footprin

Другие MOSFET... WFW20N60W , WFW24N50N , WFW24N50W , WFW40N25W , WFW9N90 , WFW9N90W , WFY3N02 , WFY3P02 , STP65NF06 , WFY5N03 , WFY5P03 , WFY6N02 , PMCPB5530X , PMCXB900UE , PMDPB28UN , PMDPB30XN , PMDPB38UNE .

History: LSGC03R020 | GP2M002A065XX | MPSP60M600

 

 
Back to Top

 


 
.