WFY5N03 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WFY5N03

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4.8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 99 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.033 Ohm

Encapsulados: SOT-23

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WFY5N03 datasheet

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WFY5N03

WFY5N03 WFY5N03 WFY5N03 WFY5N03 30V N-Channel MOSFET 30V N-Channel MOSFET 30V N-Channel MOSFET 30V N-Channel MOSFET Features 5.8A, 30V, R (Max 33m )@V =-4.5V DS(on) GS 1.4V Rated for Low Voltage Gate Drive SOT-23 Surface Mount for Small Footprint Single Pulse Avalanche Energy Rated Halogen-free General Description D D D D This Power MOSFET is produced u

Otros transistores... WFW24N50N, WFW24N50W, WFW40N25W, WFW9N90, WFW9N90W, WFY3N02, WFY3P02, WFY4101, IRF830, WFY5P03, WFY6N02, PMCPB5530X, PMCXB900UE, PMDPB28UN, PMDPB30XN, PMDPB38UNE, PMDPB42UN