WFY5N03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: WFY5N03
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 9.7 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 4.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 99 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.033 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23

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WFY5N03 Datasheet (PDF)

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wfy5n03.pdf

WFY5N03WFY5N03WFY5N03WFY5N0330V N-Channel MOSFET30V N-Channel MOSFET30V N-Channel MOSFET30V N-Channel MOSFETFeatures 5.8A, 30V, R (Max 33m)@V =-4.5VDS(on) GS 1.4V Rated for Low Voltage Gate Drive SOT-23 Surface Mount for Small Footprint Single Pulse Avalanche Energy Rated Halogen-freeGeneral DescriptionDDDDThis Power MOSFET is produced u

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