WFY5N03 - аналоги и даташиты транзистора

 

WFY5N03 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: WFY5N03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 99 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.033 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
 

 Аналог (замена) для WFY5N03

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WFY5N03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:375K  winsemi
 wfy5n03.pdf pdf_icon

WFY5N03

WFY5N03WFY5N03WFY5N03WFY5N0330V N-Channel MOSFET30V N-Channel MOSFET30V N-Channel MOSFET30V N-Channel MOSFETFeatures 5.8A, 30V, R (Max 33m)@V =-4.5VDS(on) GS 1.4V Rated for Low Voltage Gate Drive SOT-23 Surface Mount for Small Footprint Single Pulse Avalanche Energy Rated Halogen-freeGeneral DescriptionDDDDThis Power MOSFET is produced u

Другие MOSFET... WFW24N50N , WFW24N50W , WFW40N25W , WFW9N90 , WFW9N90W , WFY3N02 , WFY3P02 , WFY4101 , P0903BDG , WFY5P03 , WFY6N02 , PMCPB5530X , PMCXB900UE , PMDPB28UN , PMDPB30XN , PMDPB38UNE , PMDPB42UN .

History: HGB012N08A | CS6N60A4D | NP34N055SLE | NCE70N1K1K | IXTP1N120P | AP9971GH | NCE6890D

 

 
Back to Top

 


 
.