WFY5N03. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WFY5N03

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 99 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.033 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

Аналог (замена) для WFY5N03

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WFY5N03 даташит

 ..1. Size:375K  winsemi
 wfy5n03.pdf pdf_icon

WFY5N03

WFY5N03 WFY5N03 WFY5N03 WFY5N03 30V N-Channel MOSFET 30V N-Channel MOSFET 30V N-Channel MOSFET 30V N-Channel MOSFET Features 5.8A, 30V, R (Max 33m )@V =-4.5V DS(on) GS 1.4V Rated for Low Voltage Gate Drive SOT-23 Surface Mount for Small Footprint Single Pulse Avalanche Energy Rated Halogen-free General Description D D D D This Power MOSFET is produced u

Другие IGBT... WFW24N50N, WFW24N50W, WFW40N25W, WFW9N90, WFW9N90W, WFY3N02, WFY3P02, WFY4101, IRF830, WFY5P03, WFY6N02, PMCPB5530X, PMCXB900UE, PMDPB28UN, PMDPB30XN, PMDPB38UNE, PMDPB42UN