WFY5P03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: WFY5P03
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 9.3 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 6.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 108 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.058 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23

Búsqueda de reemplazo de MOSFET WFY5P03

WFY5P03 Datasheet (PDF)

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wfy5p03.pdf

WFY5P03WFY5P03WFY5P03WFY5P03-30V P-Channel MOSFET-30V P-Channel MOSFET-30V P-Channel MOSFET-30V P-Channel MOSFETFeatures -4.3A, -30V, R (Max 58m)@V =-4.5VDS(on) GS -2.5V Rated for Low Voltage Gate Drive SOT-23 Surface Mount for Small Footprint Single Pulse Avalanche Energy RatedGeneral DescriptionThis Power MOSFET is produced using Winsemisadvan

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