WFY5P03 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WFY5P03

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 6.8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 108 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.058 Ohm

Encapsulados: SOT-23

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WFY5P03 datasheet

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WFY5P03

WFY5P03 WFY5P03 WFY5P03 WFY5P03 -30V P-Channel MOSFET -30V P-Channel MOSFET -30V P-Channel MOSFET -30V P-Channel MOSFET Features -4.3A, -30V, R (Max 58m )@V =-4.5V DS(on) GS -2.5V Rated for Low Voltage Gate Drive SOT-23 Surface Mount for Small Footprint Single Pulse Avalanche Energy Rated General Description This Power MOSFET is produced using Winsemi s advan

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