WFY5P03. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WFY5P03

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 108 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.058 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

Аналог (замена) для WFY5P03

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WFY5P03 даташит

 ..1. Size:311K  winsemi
 wfy5p03.pdf pdf_icon

WFY5P03

WFY5P03 WFY5P03 WFY5P03 WFY5P03 -30V P-Channel MOSFET -30V P-Channel MOSFET -30V P-Channel MOSFET -30V P-Channel MOSFET Features -4.3A, -30V, R (Max 58m )@V =-4.5V DS(on) GS -2.5V Rated for Low Voltage Gate Drive SOT-23 Surface Mount for Small Footprint Single Pulse Avalanche Energy Rated General Description This Power MOSFET is produced using Winsemi s advan

Другие IGBT... WFW24N50W, WFW40N25W, WFW9N90, WFW9N90W, WFY3N02, WFY3P02, WFY4101, WFY5N03, IRLB3034, WFY6N02, PMCPB5530X, PMCXB900UE, PMDPB28UN, PMDPB30XN, PMDPB38UNE, PMDPB42UN, PMDPB55XP