Справочник MOSFET. WFY5P03

 

WFY5P03 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: WFY5P03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 9.3 nC
   trⓘ - Время нарастания: 6.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 108 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.058 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23

 Аналог (замена) для WFY5P03

 

 

WFY5P03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:311K  winsemi
 wfy5p03.pdf

WFY5P03 WFY5P03

WFY5P03WFY5P03WFY5P03WFY5P03-30V P-Channel MOSFET-30V P-Channel MOSFET-30V P-Channel MOSFET-30V P-Channel MOSFETFeatures -4.3A, -30V, R (Max 58m)@V =-4.5VDS(on) GS -2.5V Rated for Low Voltage Gate Drive SOT-23 Surface Mount for Small Footprint Single Pulse Avalanche Energy RatedGeneral DescriptionThis Power MOSFET is produced using Winsemisadvan

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top