WFY5P03 - аналоги и даташиты транзистора

 

WFY5P03 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: WFY5P03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 108 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.058 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
 

 Аналог (замена) для WFY5P03

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WFY5P03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:311K  winsemi
 wfy5p03.pdf pdf_icon

WFY5P03

WFY5P03WFY5P03WFY5P03WFY5P03-30V P-Channel MOSFET-30V P-Channel MOSFET-30V P-Channel MOSFET-30V P-Channel MOSFETFeatures -4.3A, -30V, R (Max 58m)@V =-4.5VDS(on) GS -2.5V Rated for Low Voltage Gate Drive SOT-23 Surface Mount for Small Footprint Single Pulse Avalanche Energy RatedGeneral DescriptionThis Power MOSFET is produced using Winsemisadvan

Другие MOSFET... WFW24N50W , WFW40N25W , WFW9N90 , WFW9N90W , WFY3N02 , WFY3P02 , WFY4101 , WFY5N03 , 60N06 , WFY6N02 , PMCPB5530X , PMCXB900UE , PMDPB28UN , PMDPB30XN , PMDPB38UNE , PMDPB42UN , PMDPB55XP .

History: AON7702 | RXR035N03 | AP50T10GS-HF | NCE65N680R | KND2803A

 

 
Back to Top

 


 
.