WFY6N02 Todos los transistores

 

WFY6N02 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WFY6N02
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23
 

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WFY6N02 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:381K  winsemi
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WFY6N02

WFY6N02WFY6N02WFY6N02WFY6N0220V N-Channel MOSFET20V N-Channel MOSFET20V N-Channel MOSFET20V N-Channel MOSFETFeaturesFeaturesFeaturesFeatures 6A, 20V, R (Max 40m)@V =4.5VDS(on) GS 1.8 V Rated for Low Voltage Gate Drive SOT-23 Surface Mount for Small Footprint Single Pulse Avalanche Energy Rated RoHS compliantGeneral DescriptionGeneral Descri

Otros transistores... WFW40N25W , WFW9N90 , WFW9N90W , WFY3N02 , WFY3P02 , WFY4101 , WFY5N03 , WFY5P03 , MMD60R360PRH , PMCPB5530X , PMCXB900UE , PMDPB28UN , PMDPB30XN , PMDPB38UNE , PMDPB42UN , PMDPB55XP , PMDPB56XN .

History: QJD1210011 | IRF7704GPBF | CSD18503KCS | PMCXB900UE | HFS8N80 | QJD1210007 | IRF7606PBF

 

 
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