Справочник MOSFET. WFY6N02

 

WFY6N02 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WFY6N02
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
 

 Аналог (замена) для WFY6N02

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WFY6N02 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:381K  winsemi
 wfy6n02.pdf pdf_icon

WFY6N02

WFY6N02WFY6N02WFY6N02WFY6N0220V N-Channel MOSFET20V N-Channel MOSFET20V N-Channel MOSFET20V N-Channel MOSFETFeaturesFeaturesFeaturesFeatures 6A, 20V, R (Max 40m)@V =4.5VDS(on) GS 1.8 V Rated for Low Voltage Gate Drive SOT-23 Surface Mount for Small Footprint Single Pulse Avalanche Energy Rated RoHS compliantGeneral DescriptionGeneral Descri

Другие MOSFET... WFW40N25W , WFW9N90 , WFW9N90W , WFY3N02 , WFY3P02 , WFY4101 , WFY5N03 , WFY5P03 , AON7403 , PMCPB5530X , PMCXB900UE , PMDPB28UN , PMDPB30XN , PMDPB38UNE , PMDPB42UN , PMDPB55XP , PMDPB56XN .

History: RJK1211DPA | FQD13N10LTF | STW77N65M5 | HMS10N60K | IPD105N04LG | TPCJ2101

 

 
Back to Top

 


 
.