Справочник MOSFET. WFY6N02

 

WFY6N02 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WFY6N02
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

WFY6N02 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:381K  winsemi
 wfy6n02.pdf pdf_icon

WFY6N02

WFY6N02WFY6N02WFY6N02WFY6N0220V N-Channel MOSFET20V N-Channel MOSFET20V N-Channel MOSFET20V N-Channel MOSFETFeaturesFeaturesFeaturesFeatures 6A, 20V, R (Max 40m)@V =4.5VDS(on) GS 1.8 V Rated for Low Voltage Gate Drive SOT-23 Surface Mount for Small Footprint Single Pulse Avalanche Energy Rated RoHS compliantGeneral DescriptionGeneral Descri

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: FTK10N65P | AP50T10GP-HF | GSM4435WS | P1306EK | BF980A | SSF80R500S | IRFSL7537PBF

 

 
Back to Top

 


 
.