WFY6N02. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WFY6N02

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

Аналог (замена) для WFY6N02

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WFY6N02 даташит

 ..1. Size:381K  winsemi
 wfy6n02.pdf pdf_icon

WFY6N02

WFY6N02 WFY6N02 WFY6N02 WFY6N02 20V N-Channel MOSFET 20V N-Channel MOSFET 20V N-Channel MOSFET 20V N-Channel MOSFET Features Features Features Features 6A, 20V, R (Max 40m )@V =4.5V DS(on) GS 1.8 V Rated for Low Voltage Gate Drive SOT-23 Surface Mount for Small Footprint Single Pulse Avalanche Energy Rated RoHS compliant General Description General Descri

Другие IGBT... WFW40N25W, WFW9N90, WFW9N90W, WFY3N02, WFY3P02, WFY4101, WFY5N03, WFY5P03, IRF9640, PMCPB5530X, PMCXB900UE, PMDPB28UN, PMDPB30XN, PMDPB38UNE, PMDPB42UN, PMDPB55XP, PMDPB56XN