Справочник MOSFET. WFY6N02

 

WFY6N02 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: WFY6N02
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 6 nC
   trⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23

 Аналог (замена) для WFY6N02

 

 

WFY6N02 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:381K  winsemi
 wfy6n02.pdf

WFY6N02 WFY6N02

WFY6N02WFY6N02WFY6N02WFY6N0220V N-Channel MOSFET20V N-Channel MOSFET20V N-Channel MOSFET20V N-Channel MOSFETFeaturesFeaturesFeaturesFeatures 6A, 20V, R (Max 40m)@V =4.5VDS(on) GS 1.8 V Rated for Low Voltage Gate Drive SOT-23 Surface Mount for Small Footprint Single Pulse Avalanche Energy Rated RoHS compliantGeneral DescriptionGeneral Descri

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top