PMDT290UNE Todos los transistores

 

PMDT290UNE MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PMDT290UNE
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.33 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 15 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.38 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-666
 

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PMDT290UNE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:175K  nxp
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PMDT290UNE

PMDT290UNE20 V, 800 mA dual N-channel Trench MOSFETRev. 1 13 September 2011 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionDual N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in an ultra small and flat lead SOT666 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.1.2 Features and benefits Very fast switching ESD protec

 6.1. Size:242K  nxp
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PMDT290UNE

PMDT290UCE20 / 20 V, 800 / 550 mA N/P-channel Trench MOSFETRev. 1 6 October 2011 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionComplementary N/P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in an ultra small and flat lead SOT666 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.1.2 Features and benefits Very fast switchin

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History: TK7Q65W | AONS66620 | IPS075N03L | HNM7002E

 

 
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