PMDT290UNE MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PMDT290UNE

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.33 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 15 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.38 Ohm

Encapsulados: SOT-666

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PMDT290UNE datasheet

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PMDT290UNE

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PMDT290UNE

PMDT290UCE 20 / 20 V, 800 / 550 mA N/P-channel Trench MOSFET Rev. 1 6 October 2011 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Complementary N/P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in an ultra small and flat lead SOT666 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 1.2 Features and benefits Very fast switchin

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