Справочник MOSFET. PMDT290UNE

 

PMDT290UNE Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PMDT290UNE
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.33 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 15 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm
   Тип корпуса: SOT-666
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

PMDT290UNE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:175K  nxp
 pmdt290une.pdf pdf_icon

PMDT290UNE

PMDT290UNE20 V, 800 mA dual N-channel Trench MOSFETRev. 1 13 September 2011 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionDual N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in an ultra small and flat lead SOT666 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.1.2 Features and benefits Very fast switching ESD protec

 6.1. Size:242K  nxp
 pmdt290uce.pdf pdf_icon

PMDT290UNE

PMDT290UCE20 / 20 V, 800 / 550 mA N/P-channel Trench MOSFETRev. 1 6 October 2011 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionComplementary N/P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in an ultra small and flat lead SOT666 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.1.2 Features and benefits Very fast switchin

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: BLF6G27LS-40P | AMA922N | IRLML6244TRPBF | BSS138BKW | AP1A003GMT | NTMFS4835N | IXTA90N055T

 

 
Back to Top

 


 
.