Справочник MOSFET. PMDT290UNE

 

PMDT290UNE Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PMDT290UNE
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.33 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 15 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm
   Тип корпуса: SOT-666
 

 Аналог (замена) для PMDT290UNE

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMDT290UNE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:175K  nxp
 pmdt290une.pdf pdf_icon

PMDT290UNE

PMDT290UNE20 V, 800 mA dual N-channel Trench MOSFETRev. 1 13 September 2011 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionDual N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in an ultra small and flat lead SOT666 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.1.2 Features and benefits Very fast switching ESD protec

 6.1. Size:242K  nxp
 pmdt290uce.pdf pdf_icon

PMDT290UNE

PMDT290UCE20 / 20 V, 800 / 550 mA N/P-channel Trench MOSFETRev. 1 6 October 2011 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionComplementary N/P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in an ultra small and flat lead SOT666 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.1.2 Features and benefits Very fast switchin

Другие MOSFET... PMDPB58UPE , PMDPB70EN , PMDPB70XP , PMDPB70XPE , PMDPB80XP , PMDPB85UPE , PMDPB95XNE , PMDT290UCE , 20N60 , PMDT670UPE , PMDXB1200UPE , PMDXB550UNE , PMDXB600UNE , PMDXB950UPE , PMF63UN , PMF77XN , PMF87EN .

History: BL8N50-I | TPB65R135MFD | SSM6N44FE | BLS7G2729LS-350P | 2SK4069-ZK-E1-AY | URFP150 | JCS740RC

 

 
Back to Top

 


 
.