PMDT670UPE Todos los transistores

 

PMDT670UPE MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PMDT670UPE
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.33 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.55 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 21 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.85 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-666
 

 Búsqueda de reemplazo de PMDT670UPE MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

PMDT670UPE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:171K  nxp
 pmdt670upe.pdf pdf_icon

PMDT670UPE

PMDT670UPE20 V, 550 mA dual P-channel Trench MOSFETRev. 1 13 September 2011 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionDual P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in an ultra small and flat lead SOT666 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.1.2 Features and benefits Very fast switching ESD protec

Otros transistores... PMDPB70EN , PMDPB70XP , PMDPB70XPE , PMDPB80XP , PMDPB85UPE , PMDPB95XNE , PMDT290UCE , PMDT290UNE , IRF540N , PMDXB1200UPE , PMDXB550UNE , PMDXB600UNE , PMDXB950UPE , PMF63UN , PMF77XN , PMF87EN , PMFPB8032XP .

History: BL23N50-P | FDFMA2P859T

 

 
Back to Top

 


 
.