PMDT670UPE. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PMDT670UPE

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.33 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.55 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 21 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.85 Ohm

Тип корпуса: SOT-666

Аналог (замена) для PMDT670UPE

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMDT670UPE даташит

 ..1. Size:171K  nxp
 pmdt670upe.pdf pdf_icon

PMDT670UPE

PMDT670UPE 20 V, 550 mA dual P-channel Trench MOSFET Rev. 1 13 September 2011 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Dual P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in an ultra small and flat lead SOT666 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 1.2 Features and benefits Very fast switching ESD protec

Другие IGBT... PMDPB70EN, PMDPB70XP, PMDPB70XPE, PMDPB80XP, PMDPB85UPE, PMDPB95XNE, PMDT290UCE, PMDT290UNE, IRF540N, PMDXB1200UPE, PMDXB550UNE, PMDXB600UNE, PMDXB950UPE, PMF63UN, PMF77XN, PMF87EN, PMFPB8032XP