Справочник MOSFET. PMDT670UPE

 

PMDT670UPE Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PMDT670UPE
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.33 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.55 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 21 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.85 Ohm
   Тип корпуса: SOT-666
 

 Аналог (замена) для PMDT670UPE

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMDT670UPE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:171K  nxp
 pmdt670upe.pdf pdf_icon

PMDT670UPE

PMDT670UPE20 V, 550 mA dual P-channel Trench MOSFETRev. 1 13 September 2011 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionDual P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in an ultra small and flat lead SOT666 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.1.2 Features and benefits Very fast switching ESD protec

Другие MOSFET... PMDPB70EN , PMDPB70XP , PMDPB70XPE , PMDPB80XP , PMDPB85UPE , PMDPB95XNE , PMDT290UCE , PMDT290UNE , IRF540 , PMDXB1200UPE , PMDXB550UNE , PMDXB600UNE , PMDXB950UPE , PMF63UN , PMF77XN , PMF87EN , PMFPB8032XP .

History: 2SK3019 | VS3628GA | CSD16322Q5

 

 
Back to Top

 


 
.