PMF63UN Todos los transistores

 

PMF63UN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PMF63UN
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.275 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 27 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 53 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.074 Ohm
   Paquete / Cubierta: SC-70
 

 Búsqueda de reemplazo de PMF63UN MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

PMF63UN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:863K  nxp
 pmf63un.pdf pdf_icon

PMF63UN

PMF63UN20 V, single N-channel Trench MOSFETRev. 1 22 March 2012 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a SOT323 (SC-70) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.1.2 Features and benefits Low threshold voltage Trench MOSFET technology Very fast

 0.1. Size:712K  nxp
 pmf63une.pdf pdf_icon

PMF63UN

PMF63UNE20 V, N-channel Trench MOSFET20 April 2016 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a very small SOT323(SC-70) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFETtechnology.2. Features and benefits Trench MOSFET technology Low threshold voltage ElectroStatic Discharge (ESD) protection >

Otros transistores... PMDPB95XNE , PMDT290UCE , PMDT290UNE , PMDT670UPE , PMDXB1200UPE , PMDXB550UNE , PMDXB600UNE , PMDXB950UPE , IRFZ44 , PMF77XN , PMF87EN , PMFPB8032XP , PMFPB8040XP , PMG45UN , PMGD130UN , PMGD175XN , PMGD290UCEA .

History: MTN7002N3 | DH100P28B | IRF5210SPBF

 

 
Back to Top

 


 
.