PMF63UN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: PMF63UN
   Código: V8*
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 0.275 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 20 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 8 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 1.8 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1 V
   Carga de la puerta (Qg): 2.2 nC
   Tiempo de subida (tr): 27 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 53 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.074 Ohm
   Paquete / Cubierta: SC-70

Búsqueda de reemplazo de MOSFET PMF63UN

PMF63UN Datasheet (PDF)

..1. Size:863K nxp
pmf63un.pdf

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0.1. Size:712K nxp
pmf63une.pdf

PMF63UNE20 V, N-channel Trench MOSFET20 April 2016 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a very small SOT323(SC-70) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFETtechnology.2. Features and benefits Trench MOSFET technology Low threshold voltage ElectroStatic Discharge (ESD) protection >

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Liste

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