PMF63UN. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PMF63UN

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.275 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 53 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.074 Ohm

Тип корпуса: SC-70

Аналог (замена) для PMF63UN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMF63UN даташит

 ..1. Size:863K  nxp
 pmf63un.pdf pdf_icon

PMF63UN

PMF63UN 20 V, single N-channel Trench MOSFET Rev. 1 22 March 2012 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a SOT323 (SC-70) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 1.2 Features and benefits Low threshold voltage Trench MOSFET technology Very fast

 0.1. Size:712K  nxp
 pmf63une.pdf pdf_icon

PMF63UN

PMF63UNE 20 V, N-channel Trench MOSFET 20 April 2016 Product data sheet 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a very small SOT323 (SC-70) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Trench MOSFET technology Low threshold voltage ElectroStatic Discharge (ESD) protection >

Другие IGBT... PMDPB95XNE, PMDT290UCE, PMDT290UNE, PMDT670UPE, PMDXB1200UPE, PMDXB550UNE, PMDXB600UNE, PMDXB950UPE, IRF640, PMF77XN, PMF87EN, PMFPB8032XP, PMFPB8040XP, PMG45UN, PMGD130UN, PMGD175XN, PMGD290UCEA