Справочник MOSFET. PMF63UN

 

PMF63UN MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: PMF63UN
   Маркировка: V8*
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.275 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 8 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 1.8 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 2.2 nC
   Время нарастания (tr): 27 ns
   Выходная емкость (Cd): 53 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.074 Ohm
   Тип корпуса: SC-70

 Аналог (замена) для PMF63UN

 

 

PMF63UN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:863K  nxp
 pmf63un.pdf

PMF63UN PMF63UN

PMF63UN20 V, single N-channel Trench MOSFETRev. 1 22 March 2012 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a SOT323 (SC-70) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.1.2 Features and benefits Low threshold voltage Trench MOSFET technology Very fast

 0.1. Size:712K  nxp
 pmf63une.pdf

PMF63UN PMF63UN

PMF63UNE20 V, N-channel Trench MOSFET20 April 2016 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a very small SOT323(SC-70) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFETtechnology.2. Features and benefits Trench MOSFET technology Low threshold voltage ElectroStatic Discharge (ESD) protection >

Другие MOSFET... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , 7N60 , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .

 

 
Back to Top