Справочник MOSFET. PMF63UN

 

PMF63UN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PMF63UN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.275 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 53 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.074 Ohm
   Тип корпуса: SC-70
 

 Аналог (замена) для PMF63UN

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMF63UN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:863K  nxp
 pmf63un.pdf pdf_icon

PMF63UN

PMF63UN20 V, single N-channel Trench MOSFETRev. 1 22 March 2012 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a SOT323 (SC-70) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.1.2 Features and benefits Low threshold voltage Trench MOSFET technology Very fast

 0.1. Size:712K  nxp
 pmf63une.pdf pdf_icon

PMF63UN

PMF63UNE20 V, N-channel Trench MOSFET20 April 2016 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a very small SOT323(SC-70) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFETtechnology.2. Features and benefits Trench MOSFET technology Low threshold voltage ElectroStatic Discharge (ESD) protection >

Другие MOSFET... PMDPB95XNE , PMDT290UCE , PMDT290UNE , PMDT670UPE , PMDXB1200UPE , PMDXB550UNE , PMDXB600UNE , PMDXB950UPE , IRFP460 , PMF77XN , PMF87EN , PMFPB8032XP , PMFPB8040XP , PMG45UN , PMGD130UN , PMGD175XN , PMGD290UCEA .

History: AP9971GH | DMNH10H028SK3 | IRF7862PBF | FQI12N50TU | VS3618AH | VBZL45N03 | IXFN102N30P

 

 
Back to Top

 


 
.