PMG45UN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PMG45UN
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.375 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 51 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.055 Ohm
Paquete / Cubierta: TSSOP6
Búsqueda de reemplazo de PMG45UN MOSFET
PMG45UN Datasheet (PDF)
pmg45un.pdf

PMG45UN20 V, single N-channel Trench MOSFET13 November 2012 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a SOT363 (SC-88) smallSurface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.1.2 Features and benefits Low threshold voltage Very fast switching Trench MOSFET technolog
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History: DMN32D2LDF | PMGD130UN | HM80N04 | 2SJ485
History: DMN32D2LDF | PMGD130UN | HM80N04 | 2SJ485



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
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