PMG45UN MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PMG45UN

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.375 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 51 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.055 Ohm

Encapsulados: TSSOP6

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PMG45UN datasheet

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PMG45UN

PMG45UN 20 V, single N-channel Trench MOSFET 13 November 2012 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a SOT363 (SC-88) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 1.2 Features and benefits Low threshold voltage Very fast switching Trench MOSFET technolog

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