PMG45UN Todos los transistores

 

PMG45UN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PMG45UN
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.375 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 51 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.055 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSSOP6
 

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PMG45UN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:199K  nxp
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PMG45UN

PMG45UN20 V, single N-channel Trench MOSFET13 November 2012 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a SOT363 (SC-88) smallSurface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.1.2 Features and benefits Low threshold voltage Very fast switching Trench MOSFET technolog

Otros transistores... PMDXB550UNE , PMDXB600UNE , PMDXB950UPE , PMF63UN , PMF77XN , PMF87EN , PMFPB8032XP , PMFPB8040XP , 10N60 , PMGD130UN , PMGD175XN , PMGD290UCEA , PMN22XN , PMN27XPE , PMN27XPEA , PMN40UPE , PMN40UPEA .

History: DMN32D2LDF | PMGD130UN | HM80N04 | 2SJ485

 

 
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History: DMN32D2LDF | PMGD130UN | HM80N04 | 2SJ485

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20

 

 

 
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