PMG45UN. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PMG45UN

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.375 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 51 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055 Ohm

Тип корпуса: TSSOP6

Аналог (замена) для PMG45UN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMG45UN даташит

 ..1. Size:199K  nxp
 pmg45un.pdf pdf_icon

PMG45UN

PMG45UN 20 V, single N-channel Trench MOSFET 13 November 2012 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a SOT363 (SC-88) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 1.2 Features and benefits Low threshold voltage Very fast switching Trench MOSFET technolog

Другие IGBT... PMDXB550UNE, PMDXB600UNE, PMDXB950UPE, PMF63UN, PMF77XN, PMF87EN, PMFPB8032XP, PMFPB8040XP, IRFP260N, PMGD130UN, PMGD175XN, PMGD290UCEA, PMN22XN, PMN27XPE, PMN27XPEA, PMN40UPE, PMN40UPEA