PMG45UN - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PMG45UN
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.375 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 51 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055 Ohm
Тип корпуса: TSSOP6
Аналог (замена) для PMG45UN
PMG45UN Datasheet (PDF)
pmg45un.pdf

PMG45UN20 V, single N-channel Trench MOSFET13 November 2012 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a SOT363 (SC-88) smallSurface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.1.2 Features and benefits Low threshold voltage Very fast switching Trench MOSFET technolog
Другие MOSFET... PMDXB550UNE , PMDXB600UNE , PMDXB950UPE , PMF63UN , PMF77XN , PMF87EN , PMFPB8032XP , PMFPB8040XP , 10N60 , PMGD130UN , PMGD175XN , PMGD290UCEA , PMN22XN , PMN27XPE , PMN27XPEA , PMN40UPE , PMN40UPEA .
History: DMN32D2LDF | HM80N04 | 2SJ485 | PMGD130UN
History: DMN32D2LDF | HM80N04 | 2SJ485 | PMGD130UN



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
2n554 | 2sa1011 | 2sa1283 | 2sb646 | 2sc1885 datasheet | 2sc2580 | 2sc710 | 2sc968