Справочник MOSFET. PMG45UN

 

PMG45UN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PMG45UN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.375 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 51 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055 Ohm
   Тип корпуса: TSSOP6
 

 Аналог (замена) для PMG45UN

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMG45UN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:199K  nxp
 pmg45un.pdf pdf_icon

PMG45UN

PMG45UN20 V, single N-channel Trench MOSFET13 November 2012 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a SOT363 (SC-88) smallSurface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.1.2 Features and benefits Low threshold voltage Very fast switching Trench MOSFET technolog

Другие MOSFET... PMDXB550UNE , PMDXB600UNE , PMDXB950UPE , PMF63UN , PMF77XN , PMF87EN , PMFPB8032XP , PMFPB8040XP , 10N60 , PMGD130UN , PMGD175XN , PMGD290UCEA , PMN22XN , PMN27XPE , PMN27XPEA , PMN40UPE , PMN40UPEA .

History: HGA100N12SL | AP92U03GMT-HF | NCEP018N60D | KP742A | IPB180N04S4-01 | SM1A15NSF | SI3404

 

 
Back to Top

 


 
.