PMGD175XN MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PMGD175XN

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.26 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 11.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 30 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.225 Ohm

Encapsulados: TSSOP6

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PMGD175XN datasheet

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PMGD175XN

PMGD175XN 30 V, dual N-channel Trench MOSFET Rev. 1 1 June 2012 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Dual N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a very small SOT363 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 1.2 Features and benefits Very fast switching Trench MOSFET technology 1.3 Applications

 9.1. Size:883K  nxp
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PMGD175XN

PMGD130UN 20 V, dual N-channel Trench MOSFET Rev. 1 1 June 2012 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Dual N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a very small SOT363 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 1.2 Features and benefits Low threshold voltage Trench MOSFET technology Very fast

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