PMGD175XN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: PMGD175XN
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.26 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.9 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 11.5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.225 Ohm
Тип корпуса: TSSOP6
Аналог (замена) для PMGD175XN
PMGD175XN Datasheet (PDF)
pmgd175xn.pdf

PMGD175XN30 V, dual N-channel Trench MOSFETRev. 1 1 June 2012 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionDual N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a very small SOT363 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.1.2 Features and benefits Very fast switching Trench MOSFET technology1.3 Applications
pmgd130un.pdf

PMGD130UN20 V, dual N-channel Trench MOSFETRev. 1 1 June 2012 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionDual N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a very small SOT363 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.1.2 Features and benefits Low threshold voltage Trench MOSFET technology Very fast
Другие MOSFET... PMDXB950UPE , PMF63UN , PMF77XN , PMF87EN , PMFPB8032XP , PMFPB8040XP , PMG45UN , PMGD130UN , AON6414A , PMGD290UCEA , PMN22XN , PMN27XPE , PMN27XPEA , PMN40UPE , PMN40UPEA , PMN42XPE , PMN42XPEA .
History: IRFD123PBF
History: IRFD123PBF



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMTE6888A | JMTE3003A | JMTE3002B | JMTE068N07A | JMTE060N06A | JMTE035N06D | JMTE035N04A | JMTE025N04D | JMTE018N03A | JMTD3134K | JMTD2N7002KS | JMSL1509PG | JMSL10A13P | JMSL10A13L | JMSL10A13K | JMSL1010PU
Popular searches
2sa1283 | 2sb646 | 2sc1885 datasheet | 2sc2580 | 2sc710 | 2sc968 | 2sd217 | bdw93c equivalent