PMGD175XN. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PMGD175XN

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.26 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.225 Ohm

Тип корпуса: TSSOP6

Аналог (замена) для PMGD175XN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMGD175XN даташит

 ..1. Size:888K  nxp
 pmgd175xn.pdf pdf_icon

PMGD175XN

PMGD175XN 30 V, dual N-channel Trench MOSFET Rev. 1 1 June 2012 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Dual N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a very small SOT363 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 1.2 Features and benefits Very fast switching Trench MOSFET technology 1.3 Applications

 9.1. Size:883K  nxp
 pmgd130un.pdf pdf_icon

PMGD175XN

PMGD130UN 20 V, dual N-channel Trench MOSFET Rev. 1 1 June 2012 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Dual N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a very small SOT363 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 1.2 Features and benefits Low threshold voltage Trench MOSFET technology Very fast

Другие IGBT... PMDXB950UPE, PMF63UN, PMF77XN, PMF87EN, PMFPB8032XP, PMFPB8040XP, PMG45UN, PMGD130UN, IRFB4227, PMGD290UCEA, PMN22XN, PMN27XPE, PMN27XPEA, PMN40UPE, PMN40UPEA, PMN42XPE, PMN42XPEA