Справочник MOSFET. PMGD175XN

 

PMGD175XN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PMGD175XN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.26 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.225 Ohm
   Тип корпуса: TSSOP6
 

 Аналог (замена) для PMGD175XN

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMGD175XN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:888K  nxp
 pmgd175xn.pdf pdf_icon

PMGD175XN

PMGD175XN30 V, dual N-channel Trench MOSFETRev. 1 1 June 2012 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionDual N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a very small SOT363 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.1.2 Features and benefits Very fast switching Trench MOSFET technology1.3 Applications

 9.1. Size:883K  nxp
 pmgd130un.pdf pdf_icon

PMGD175XN

PMGD130UN20 V, dual N-channel Trench MOSFETRev. 1 1 June 2012 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionDual N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a very small SOT363 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.1.2 Features and benefits Low threshold voltage Trench MOSFET technology Very fast

Другие MOSFET... PMDXB950UPE , PMF63UN , PMF77XN , PMF87EN , PMFPB8032XP , PMFPB8040XP , PMG45UN , PMGD130UN , AON6414A , PMGD290UCEA , PMN22XN , PMN27XPE , PMN27XPEA , PMN40UPE , PMN40UPEA , PMN42XPE , PMN42XPEA .

History: IRFD123PBF

 

 
Back to Top

 


 
.