PMN22XN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PMN22XN
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.545 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 27 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1.8 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.027 Ohm
Paquete / Cubierta: TSOP6
Búsqueda de reemplazo de PMN22XN MOSFET
PMN22XN Datasheet (PDF)
pmn22xn.pdf

PMN22XN30 V, single N-channel Trench MOSFETRev. 1 19 January 2012 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.1.2 Features and benefits Low threshold voltage Trench MOSFET technology Very fas
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History: APT22F80B | DMP25H18DLFDE | SL3416 | 2SK880BL | AFP3407S | BL9N20-P | IRF3808
History: APT22F80B | DMP25H18DLFDE | SL3416 | 2SK880BL | AFP3407S | BL9N20-P | IRF3808



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