PMN22XN MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PMN22XN

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.545 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 27 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1.8 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.027 Ohm

Encapsulados: TSOP6

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PMN22XN datasheet

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PMN22XN

PMN22XN 30 V, single N-channel Trench MOSFET Rev. 1 19 January 2012 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 1.2 Features and benefits Low threshold voltage Trench MOSFET technology Very fas

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