PMN22XN. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PMN22XN

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.545 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1.8 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.027 Ohm

Тип корпуса: TSOP6

Аналог (замена) для PMN22XN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMN22XN даташит

 ..1. Size:850K  nxp
 pmn22xn.pdf pdf_icon

PMN22XN

PMN22XN 30 V, single N-channel Trench MOSFET Rev. 1 19 January 2012 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 1.2 Features and benefits Low threshold voltage Trench MOSFET technology Very fas

Другие IGBT... PMF77XN, PMF87EN, PMFPB8032XP, PMFPB8040XP, PMG45UN, PMGD130UN, PMGD175XN, PMGD290UCEA, 10N60, PMN27XPE, PMN27XPEA, PMN40UPE, PMN40UPEA, PMN42XPE, PMN42XPEA, PMN50UPE, PMN50XP