PMN22XN - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PMN22XN
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.545 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.7 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1.8 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.027 Ohm
Тип корпуса: TSOP6
Аналог (замена) для PMN22XN
PMN22XN Datasheet (PDF)
pmn22xn.pdf
PMN22XN30 V, single N-channel Trench MOSFETRev. 1 19 January 2012 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.1.2 Features and benefits Low threshold voltage Trench MOSFET technology Very fas
Другие MOSFET... PMF77XN , PMF87EN , PMFPB8032XP , PMFPB8040XP , PMG45UN , PMGD130UN , PMGD175XN , PMGD290UCEA , 10N60 , PMN27XPE , PMN27XPEA , PMN40UPE , PMN40UPEA , PMN42XPE , PMN42XPEA , PMN50UPE , PMN50XP .
History: NCEP023N85M | JFPC10N65CI | SFF140J | JFPC13N65CI | NX3008PBKT
History: NCEP023N85M | JFPC10N65CI | SFF140J | JFPC13N65CI | NX3008PBKT
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM608C | AGM6080D | AGM6080C | AGM6070A | AGM606S | AGM605Q | AGM605F | AGM605C | AGM605A | AGM603F | AGM603D | AGM603C | AGM6035F | AGM6035A | AGM602C | AGM40P75D
Popular searches
2sc1885 datasheet | 2sc2580 | 2sc710 | 2sc968 | 2sd217 | bdw93c equivalent | cs7n60f | d613 transistor


