PMN42XPEA Todos los transistores

 

PMN42XPEA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PMN42XPEA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 27 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 207 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.046 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSOP6
 
   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

PMN42XPEA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:266K  nxp
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PMN42XPEA

PMN42XPEA20 V, P-channel Trench MOSFET21 March 2014 Product data sheet1. General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74)Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Fast switching Trench MOSFET technology 2 kV ESD protection AEC-Q101 qualified3. Applica

 6.1. Size:199K  nxp
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PMN42XPEA

PMN42XPE20 V, single P-channel Trench MOSFET14 August 2012 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74)Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.1.2 Features and benefits Fast switching Trench MOSFET technology 2 kV ESD protection1.3 A

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History: AP9575GI | 10N80B

 

 
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