Справочник MOSFET. PMN42XPEA

 

PMN42XPEA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PMN42XPEA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 207 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.046 Ohm
   Тип корпуса: TSOP6
 

 Аналог (замена) для PMN42XPEA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMN42XPEA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:266K  nxp
 pmn42xpea.pdf pdf_icon

PMN42XPEA

PMN42XPEA20 V, P-channel Trench MOSFET21 March 2014 Product data sheet1. General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74)Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Fast switching Trench MOSFET technology 2 kV ESD protection AEC-Q101 qualified3. Applica

 6.1. Size:199K  nxp
 pmn42xpe.pdf pdf_icon

PMN42XPEA

PMN42XPE20 V, single P-channel Trench MOSFET14 August 2012 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74)Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.1.2 Features and benefits Fast switching Trench MOSFET technology 2 kV ESD protection1.3 A

Другие MOSFET... PMGD175XN , PMGD290UCEA , PMN22XN , PMN27XPE , PMN27XPEA , PMN40UPE , PMN40UPEA , PMN42XPE , STP75NF75 , PMN50UPE , PMN50XP , PMN70XPE , PMN70XPEA , PMN80XP , PMPB10XNE , PMPB11EN , PMPB12UN .

History: HGN093N12S | FQPF5N50CYDTU | IRFS9N60APBF

 

 
Back to Top

 


 
.