PMN70XPEA MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PMN70XPEA

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 101 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.085 Ohm

Encapsulados: TSOP6

 Búsqueda de reemplazo de PMN70XPEA MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

PMN70XPEA datasheet

 ..1. Size:276K  nxp
 pmn70xpea.pdf pdf_icon

PMN70XPEA

 6.1. Size:201K  nxp
 pmn70xpe.pdf pdf_icon

PMN70XPEA

 7.1. Size:735K  nxp
 pmn70xp.pdf pdf_icon

PMN70XPEA

PMN70XP 20 V, P-channel Trench MOSFET 29 January 2016 Product data sheet 1. General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Trench MOSFET technology Low threshold voltage Very fast switching Enhanced power dissipat

 9.1. Size:265K  nxp
 pmn70epe.pdf pdf_icon

PMN70XPEA

PMN70EPE 30 V, P-channel Trench MOSFET 23 May 2017 Product data sheet 1. General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface- Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Trench MOSFET technology Logic-level compatible Very fast switching Enhanced power dissipati

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... PMN27XPEA, PMN40UPE, PMN40UPEA, PMN42XPE, PMN42XPEA, PMN50UPE, PMN50XP, PMN70XPE, AON7408, PMN80XP, PMPB10XNE, PMPB11EN, PMPB12UN, PMPB13XNE, PMPB15XN, PMPB15XP, PMPB16XN