Справочник MOSFET. PMN70XPEA

 

PMN70XPEA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PMN70XPEA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 101 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm
   Тип корпуса: TSOP6
 

 Аналог (замена) для PMN70XPEA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMN70XPEA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:276K  nxp
 pmn70xpea.pdf pdf_icon

PMN70XPEA

PMN70XPEA20 V, single P-channel Trench MOSFET19 June 2014 Product data sheet1. General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74)Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Low threshold voltage Fast switching Trench MOSFET technology 2 kV ESD protection

 6.1. Size:201K  nxp
 pmn70xpe.pdf pdf_icon

PMN70XPEA

PMN70XPE20 V, single P-channel Trench MOSFET6 July 2012 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74)Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.1.2 Features and benefits Low threshold voltage Very fast switching Trench MOSFET technology

 7.1. Size:735K  nxp
 pmn70xp.pdf pdf_icon

PMN70XPEA

PMN70XP20 V, P-channel Trench MOSFET29 January 2016 Product data sheet1. General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74)Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Trench MOSFET technology Low threshold voltage Very fast switching Enhanced power dissipat

 9.1. Size:265K  nxp
 pmn70epe.pdf pdf_icon

PMN70XPEA

PMN70EPE30 V, P-channel Trench MOSFET23 May 2017 Product data sheet1. General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Trench MOSFET technology Logic-level compatible Very fast switching Enhanced power dissipati

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... PMN27XPEA , PMN40UPE , PMN40UPEA , PMN42XPE , PMN42XPEA , PMN50UPE , PMN50XP , PMN70XPE , 2N7000 , PMN80XP , PMPB10XNE , PMPB11EN , PMPB12UN , PMPB13XNE , PMPB15XN , PMPB15XP , PMPB16XN .

History: CJ3139KDW | SIHFBE20 | FDS5170N7 | IXTQ96N15P | MTW35N15E | RJK5013DPE

 

 
Back to Top

 


 
.