PMPB95ENEA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PMPB95ENEA
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.6 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 43 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.105 Ohm
Paquete / Cubierta: DFN2020MD-6
Búsqueda de reemplazo de PMPB95ENEA MOSFET
PMPB95ENEA Datasheet (PDF)
pmpb95enea.pdf

PMPB95ENEA80 V, single N-channel Trench MOSFET17 December 2013 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium powerDFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package usingTrench MOSFET technology.2. Features and benefits Trench MOSFET technology Small and leadless ultra thin SMD plasti
Otros transistores... PMPB29XPE , PMPB33XN , PMPB33XP , PMPB40SNA , PMPB43XPE , PMPB47XP , PMPB48EP , PMPB85ENEA , 18N50 , PMR290UNE , PMR670UPE , PMT200EN , PMT760EN , PMV130ENEA , PMV16XN , PMV20EN , PMV20XNE .
History: IPDD60R125G7 | AUIRFS4010 | IPA60R280C6 | 60N06L-TQ2-T
History: IPDD60R125G7 | AUIRFS4010 | IPA60R280C6 | 60N06L-TQ2-T



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP30N10D | AP30N06Y | AP30N06DF | AP30N06D | AP30N03DF | AP30N02D | AP30H04NF | AP30H04DF | AP30G03GD | AP300N04TLG5 | AP2P15MI | AP2N7002A | AP2N30MI | AP2N20MI | AP280N10MP | AP20G03GD
Popular searches
d2390 datasheet | 2sa750 replacement | 2sc984 replacement | a1046 transistor | hy19p03 | 2sk2749 | c2577 transistor | k3563 transistor