PMPB95ENEA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PMPB95ENEA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 43 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.105 Ohm

Тип корпуса: DFN2020MD-6

Аналог (замена) для PMPB95ENEA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMPB95ENEA даташит

 ..1. Size:234K  nxp
 pmpb95enea.pdf pdf_icon

PMPB95ENEA

PMPB95ENEA 80 V, single N-channel Trench MOSFET 17 December 2013 Product data sheet 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power DFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Trench MOSFET technology Small and leadless ultra thin SMD plasti

Другие IGBT... PMPB29XPE, PMPB33XN, PMPB33XP, PMPB40SNA, PMPB43XPE, PMPB47XP, PMPB48EP, PMPB85ENEA, STP80NF70, PMR290UNE, PMR670UPE, PMT200EN, PMT760EN, PMV130ENEA, PMV16XN, PMV20EN, PMV20XNE