Справочник MOSFET. PMPB95ENEA

 

PMPB95ENEA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PMPB95ENEA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 43 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.105 Ohm
   Тип корпуса: DFN2020MD-6
 

 Аналог (замена) для PMPB95ENEA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMPB95ENEA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:234K  nxp
 pmpb95enea.pdf pdf_icon

PMPB95ENEA

PMPB95ENEA80 V, single N-channel Trench MOSFET17 December 2013 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium powerDFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package usingTrench MOSFET technology.2. Features and benefits Trench MOSFET technology Small and leadless ultra thin SMD plasti

Другие MOSFET... PMPB29XPE , PMPB33XN , PMPB33XP , PMPB40SNA , PMPB43XPE , PMPB47XP , PMPB48EP , PMPB85ENEA , 20N50 , PMR290UNE , PMR670UPE , PMT200EN , PMT760EN , PMV130ENEA , PMV16XN , PMV20EN , PMV20XNE .

History: 2SK1430 | SSM4500GM | HSS3400A | GSM7002 | SLF65R700S2 | AON7532E

 

 
Back to Top

 


 
.