PMR290UNE MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PMR290UNE
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.25 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 15 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.38 Ohm
Paquete / Cubierta: SC-75
Búsqueda de reemplazo de PMR290UNE MOSFET
PMR290UNE Datasheet (PDF)
pmr290une.pdf

PMR290UNE20 V, 700 mA N-channel Trench MOSFETRev. 1 13 September 2011 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT416 (SC-75) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.1.2 Features and benefits Very fast switching ESD protection up to 2 kV Trenc
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History: BLF647 | IPS075N03L | 2SK3521-01S | GSM3411 | HPD160N06STA | HMS8N65I | AP9575GI-HF
History: BLF647 | IPS075N03L | 2SK3521-01S | GSM3411 | HPD160N06STA | HMS8N65I | AP9575GI-HF



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
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