PMR290UNE - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PMR290UNE
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.25 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.7 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 15 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm
Тип корпуса: SC-75
Аналог (замена) для PMR290UNE
PMR290UNE Datasheet (PDF)
pmr290une.pdf
PMR290UNE20 V, 700 mA N-channel Trench MOSFETRev. 1 13 September 2011 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT416 (SC-75) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.1.2 Features and benefits Very fast switching ESD protection up to 2 kV Trenc
Другие MOSFET... PMPB33XN , PMPB33XP , PMPB40SNA , PMPB43XPE , PMPB47XP , PMPB48EP , PMPB85ENEA , PMPB95ENEA , IRFP450 , PMR670UPE , PMT200EN , PMT760EN , PMV130ENEA , PMV16XN , PMV20EN , PMV20XNE , PMV250EPEA .
History: AM110N06-08P | AFN1032 | FQA6N70
History: AM110N06-08P | AFN1032 | FQA6N70
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM608C | AGM6080D | AGM6080C | AGM6070A | AGM606S | AGM605Q | AGM605F | AGM605C | AGM605A | AGM603F | AGM603D | AGM603C | AGM6035F | AGM6035A | AGM602C | AGM40P75D
Popular searches
2sa750 replacement | 2sc984 replacement | a1046 transistor | hy19p03 | 2sk2749 | c2577 transistor | k3563 transistor | 2sc1775 datasheet


