PMR290UNE. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PMR290UNE

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 15 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm

Тип корпуса: SC-75

Аналог (замена) для PMR290UNE

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMR290UNE даташит

 ..1. Size:183K  nxp
 pmr290une.pdf pdf_icon

PMR290UNE

PMR290UNE 20 V, 700 mA N-channel Trench MOSFET Rev. 1 13 September 2011 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT416 (SC-75) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 1.2 Features and benefits Very fast switching ESD protection up to 2 kV Trenc

Другие IGBT... PMPB33XN, PMPB33XP, PMPB40SNA, PMPB43XPE, PMPB47XP, PMPB48EP, PMPB85ENEA, PMPB95ENEA, IRFP450, PMR670UPE, PMT200EN, PMT760EN, PMV130ENEA, PMV16XN, PMV20EN, PMV20XNE, PMV250EPEA