PMR670UPE MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PMR670UPE

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.48 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 21 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.85 Ohm

Encapsulados: SC-75

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PMR670UPE datasheet

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PMR670UPE

PMR670UPE 20 V, 480 mA P-channel Trench MOSFET Rev. 1 13 September 2011 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT416 (SC-75) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 1.2 Features and benefits Very fast switching ESD protection up to 2 kV Trenc

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