PMR670UPE. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PMR670UPE

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.48 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 21 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.85 Ohm

Тип корпуса: SC-75

Аналог (замена) для PMR670UPE

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMR670UPE даташит

 ..1. Size:179K  nxp
 pmr670upe.pdf pdf_icon

PMR670UPE

PMR670UPE 20 V, 480 mA P-channel Trench MOSFET Rev. 1 13 September 2011 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT416 (SC-75) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 1.2 Features and benefits Very fast switching ESD protection up to 2 kV Trenc

Другие IGBT... PMPB33XP, PMPB40SNA, PMPB43XPE, PMPB47XP, PMPB48EP, PMPB85ENEA, PMPB95ENEA, PMR290UNE, TK10A60D, PMT200EN, PMT760EN, PMV130ENEA, PMV16XN, PMV20EN, PMV20XNE, PMV250EPEA, PMV27UPE