Справочник MOSFET. PMR670UPE

 

PMR670UPE Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PMR670UPE
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.48 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 21 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.85 Ohm
   Тип корпуса: SC-75
 

 Аналог (замена) для PMR670UPE

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMR670UPE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:179K  nxp
 pmr670upe.pdf pdf_icon

PMR670UPE

PMR670UPE20 V, 480 mA P-channel Trench MOSFETRev. 1 13 September 2011 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT416 (SC-75) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.1.2 Features and benefits Very fast switching ESD protection up to 2 kV Trenc

Другие MOSFET... PMPB33XP , PMPB40SNA , PMPB43XPE , PMPB47XP , PMPB48EP , PMPB85ENEA , PMPB95ENEA , PMR290UNE , IRFZ24N , PMT200EN , PMT760EN , PMV130ENEA , PMV16XN , PMV20EN , PMV20XNE , PMV250EPEA , PMV27UPE .

History: NTB18N06G | IRF034 | BUK9K35-60E

 

 
Back to Top

 


 
.