PMV27UPE Todos los transistores

 

PMV27UPE MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PMV27UPE
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.49 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 208 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.032 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-236AB
 

 Búsqueda de reemplazo de PMV27UPE MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

PMV27UPE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:440K  nxp
pmv27upe.pdf pdf_icon

PMV27UPE

PMV27UPE20 V, P-channel Trench MOSFET15 May 2014 Product data sheet1. General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23(TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFETtechnology.2. Features and benefits Trench MOSFET technology Low threshold voltage Very fast switching Enhanced power dissipat

 0.1. Size:854K  nxp
pmv27upea.pdf pdf_icon

PMV27UPE

PMV27UPEA20 V, P-channel Trench MOSFET30 October 2015 Product data sheet1. General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23(TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFETtechnology.2. Features and benefits Trench MOSFET technology Low threshold voltage Very fast switching Enhanced power dis

Otros transistores... PMR670UPE , PMT200EN , PMT760EN , PMV130ENEA , PMV16XN , PMV20EN , PMV20XNE , PMV250EPEA , 13N50 , PMV30UN2 , PMV37EN2 , PMV40UN2 , PMV45EN2 , PMV48XPA , PMV50XP , PMV65XPE , PMV65XPEA .

History: PTA16N65 | 2002A | KRF7309 | 4N80G-TN3-R | BLP05N08G-P | FQB9N50TM | AUIRFB3207

 

 
Back to Top

 


 
.