PMV27UPE. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PMV27UPE

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.49 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 208 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.032 Ohm

Тип корпуса: TO-236AB

Аналог (замена) для PMV27UPE

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMV27UPE даташит

 ..1. Size:440K  nxp
 pmv27upe.pdf pdf_icon

PMV27UPE

PMV27UPE 20 V, P-channel Trench MOSFET 15 May 2014 Product data sheet 1. General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Trench MOSFET technology Low threshold voltage Very fast switching Enhanced power dissipat

 0.1. Size:854K  nxp
 pmv27upea.pdf pdf_icon

PMV27UPE

PMV27UPEA 20 V, P-channel Trench MOSFET 30 October 2015 Product data sheet 1. General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Trench MOSFET technology Low threshold voltage Very fast switching Enhanced power dis

Другие IGBT... PMR670UPE, PMT200EN, PMT760EN, PMV130ENEA, PMV16XN, PMV20EN, PMV20XNE, PMV250EPEA, 5N60, PMV30UN2, PMV37EN2, PMV40UN2, PMV45EN2, PMV48XPA, PMV50XP, PMV65XPE, PMV65XPEA