PMXB350UPE Todos los transistores

 

PMXB350UPE MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PMXB350UPE
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.36 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 16.5 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.447 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN1010D-3
 

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PMXB350UPE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:237K  nxp
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PMXB350UPE

PMXB350UPE20 V, P-channel Trench MOSFET24 January 2014 Product data sheet1. General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra smallDFN1010D-3 (SOT1215) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using TrenchMOSFET technology.2. Features and benefits Trench MOSFET technology Leadless ultra small and ultra thin SMD plastic pa

 9.1. Size:218K  nxp
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PMXB350UPE

PMXB360ENEA80 V, N-channel Trench MOSFET16 September 2013 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra smallDFN1010D-3 (SOT1215) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using TrenchMOSFET technology.2. Features and benefits Logic-level compatible Leadless ultra small and ultra thin SMD plastic p

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History: SPW32N50C3 | TMPF7N60Z | APT58M80J | CTLDM7120-M621H | TPP60R580C | AM7421P | TMPF6N65

 

 
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