PMXB350UPE. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PMXB350UPE

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.36 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 16.5 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.447 Ohm

Тип корпуса: DFN1010D-3

Аналог (замена) для PMXB350UPE

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMXB350UPE даташит

 ..1. Size:237K  nxp
 pmxb350upe.pdf pdf_icon

PMXB350UPE

PMXB350UPE 20 V, P-channel Trench MOSFET 24 January 2014 Product data sheet 1. General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1010D-3 (SOT1215) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Trench MOSFET technology Leadless ultra small and ultra thin SMD plastic pa

 9.1. Size:218K  nxp
 pmxb360enea.pdf pdf_icon

PMXB350UPE

PMXB360ENEA 80 V, N-channel Trench MOSFET 16 September 2013 Product data sheet 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1010D-3 (SOT1215) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Logic-level compatible Leadless ultra small and ultra thin SMD plastic p

Другие IGBT... PMV40UN2, PMV45EN2, PMV48XPA, PMV50XP, PMV65XPE, PMV65XPEA, PMV75UP, PMXB120EPE, 8N60, PMXB360ENEA, PMXB40UNE, PMXB43UNE, PMXB56EN, PMXB65ENE, PMXB65UPE, PMXB75UPE, PMZ1200UPE