PMXB350UPE - аналоги и даташиты транзистора

 

PMXB350UPE - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PMXB350UPE
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.36 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 16.5 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.447 Ohm
   Тип корпуса: DFN1010D-3
 

 Аналог (замена) для PMXB350UPE

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMXB350UPE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:237K  nxp
 pmxb350upe.pdf pdf_icon

PMXB350UPE

PMXB350UPE20 V, P-channel Trench MOSFET24 January 2014 Product data sheet1. General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra smallDFN1010D-3 (SOT1215) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using TrenchMOSFET technology.2. Features and benefits Trench MOSFET technology Leadless ultra small and ultra thin SMD plastic pa

 9.1. Size:218K  nxp
 pmxb360enea.pdf pdf_icon

PMXB350UPE

PMXB360ENEA80 V, N-channel Trench MOSFET16 September 2013 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra smallDFN1010D-3 (SOT1215) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using TrenchMOSFET technology.2. Features and benefits Logic-level compatible Leadless ultra small and ultra thin SMD plastic p

Другие MOSFET... PMV40UN2 , PMV45EN2 , PMV48XPA , PMV50XP , PMV65XPE , PMV65XPEA , PMV75UP , PMXB120EPE , IRFB31N20D , PMXB360ENEA , PMXB40UNE , PMXB43UNE , PMXB56EN , PMXB65ENE , PMXB65UPE , PMXB75UPE , PMZ1200UPE .

History: SL2302S | IPB019N06L3G | APT10M19BVFRG

 

 
Back to Top

 


 
.