Справочник MOSFET. PMXB350UPE

 

PMXB350UPE MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: PMXB350UPE
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.36 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 8 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 0.95 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 1.2 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 1.25 nC
   Время нарастания (tr): 9 ns
   Выходная емкость (Cd): 16.5 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.447 Ohm
   Тип корпуса: DFN1010D-3

 Аналог (замена) для PMXB350UPE

 

 

PMXB350UPE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:237K  nxp
 pmxb350upe.pdf

PMXB350UPE PMXB350UPE

PMXB350UPE20 V, P-channel Trench MOSFET24 January 2014 Product data sheet1. General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra smallDFN1010D-3 (SOT1215) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using TrenchMOSFET technology.2. Features and benefits Trench MOSFET technology Leadless ultra small and ultra thin SMD plastic pa

 9.1. Size:218K  nxp
 pmxb360enea.pdf

PMXB350UPE PMXB350UPE

PMXB360ENEA80 V, N-channel Trench MOSFET16 September 2013 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra smallDFN1010D-3 (SOT1215) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using TrenchMOSFET technology.2. Features and benefits Logic-level compatible Leadless ultra small and ultra thin SMD plastic p

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: SWK110R03VT

 

 
Back to Top