PMXB56EN MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PMXB56EN

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.4 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.055 Ohm

Encapsulados: DFN1010D-3

 Búsqueda de reemplazo de PMXB56EN MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

PMXB56EN datasheet

 ..1. Size:269K  nxp
 pmxb56en.pdf pdf_icon

PMXB56EN

PMXB56EN 30 V, N-channel Trench MOSFET 30 April 2014 Product data sheet 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1010D-3 (SOT1215) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Trench MOSFET technology Leadless ultra small and thin SMD plastic package 1.1

Otros transistores... PMV65XPE, PMV65XPEA, PMV75UP, PMXB120EPE, PMXB350UPE, PMXB360ENEA, PMXB40UNE, PMXB43UNE, IRFB31N20D, PMXB65ENE, PMXB65UPE, PMXB75UPE, PMZ1200UPE, PMZ130UNE, PMZ200UNE, PMZ290UN, PMZ290UNE