Справочник MOSFET. PMXB56EN

 

PMXB56EN MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: PMXB56EN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.4 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3.2 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 3.6 nC
   Время нарастания (tr): 12 ns
   Выходная емкость (Cd): 50 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.055 Ohm
   Тип корпуса: DFN1010D-3

 Аналог (замена) для PMXB56EN

 

 

PMXB56EN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:269K  nxp
 pmxb56en.pdf

PMXB56EN PMXB56EN

PMXB56EN30 V, N-channel Trench MOSFET30 April 2014 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra smallDFN1010D-3 (SOT1215) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using TrenchMOSFET technology.2. Features and benefits Trench MOSFET technology Leadless ultra small and thin SMD plastic package: 1.1

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top