Справочник MOSFET. PMXB56EN

 

PMXB56EN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PMXB56EN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055 Ohm
   Тип корпуса: DFN1010D-3
 

 Аналог (замена) для PMXB56EN

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMXB56EN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:269K  nxp
 pmxb56en.pdf pdf_icon

PMXB56EN

PMXB56EN30 V, N-channel Trench MOSFET30 April 2014 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra smallDFN1010D-3 (SOT1215) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using TrenchMOSFET technology.2. Features and benefits Trench MOSFET technology Leadless ultra small and thin SMD plastic package: 1.1

Другие MOSFET... PMV65XPE , PMV65XPEA , PMV75UP , PMXB120EPE , PMXB350UPE , PMXB360ENEA , PMXB40UNE , PMXB43UNE , IRF730 , PMXB65ENE , PMXB65UPE , PMXB75UPE , PMZ1200UPE , PMZ130UNE , PMZ200UNE , PMZ290UN , PMZ290UNE .

History: 2SK1908 | AP4575GM-HF | CTD03N003 | SSM2310GN | IRFS645 | CM8N80F

 

 
Back to Top

 


 
.