PMZ1200UPE MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PMZ1200UPE
Código: ZL
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.31 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.41 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 0.95 VQgⓘ - Carga de la puerta: 0.7 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 5.9 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm
Paquete / Cubierta: DFN1006-3
- Selección de transistores por parámetros
PMZ1200UPE Datasheet (PDF)
pmz1200upe.pdf

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History: CHM4228JGP | TIS74 | CSD17306Q5A | IRFR5305TRPBF | P0460AS
History: CHM4228JGP | TIS74 | CSD17306Q5A | IRFR5305TRPBF | P0460AS



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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