PMZ1200UPE Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PMZ1200UPE 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.31 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.41 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 5.9 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm
Encapsulados: DFN1006-3
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PMZ1200UPE datasheet
pmz1200upe.pdf
PMZ1200UPE 30 V, P-channel Trench MOSFET 25 March 2015 Product data sheet 1. General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1006-3 (SOT883) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Trench MOSFET technology Low threshold voltage Very fast switching El
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Parámetros del MOSFET. Cómo se afectan entre sí.
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